良率计算公式(ASML 计算光刻)

ASML 行业领先的计算光刻产品可实现准确的光刻模拟

有助于提高芯片良率和质量

我们开发了计算光刻技术作为我们 ASML 产品组合的一部分 以提供客户在纳米级工作时所需的产量和性能。

如果没有计算光刻 芯片制造商就不可能制造出最新的技术点

规模越小 问题越大

在光刻过程中，光的衍射以及感光层中的物理和化学效应使机器试图打印的图像变形（将此视为试图用宽大的水彩画笔画一条细线 - 它在许多地方）

随着 130 nm 技术的引入，解决这些变形对于防止缺陷变得至关重要。

随着芯片制造商继续缩小模式以制造更小、更强大的芯片，问题和复杂性不断升级，需要更复杂的方法。

模型制造

计算光刻使用制造过程的算法模型，使用来自我们机器和测试晶片的关键数据进行校准。

这些模型用于通过有意地使图案变形以补偿光刻和图案化过程中发生的物理和化学效应来优化所需最终结果的掩模或蓝图。

最终结果：我们最终在晶圆上准确复制了所需的芯片图案。

计算能力

其他人将芯片设计视为“上游”，而 ASML 则将制造视为“下游”，以区分我们的市场地位。

计算光刻技术不仅有助于世界半导体设备的持续扩展，而且有助于提高我们机器的性能。

我们的计算光刻技术优化了扫描仪、掩模和工艺，以提高设备的可制造性和良率，无论是在设计和技术开发的早期，还是后期的大批量生产。

超越摩尔定律

随着技术的进步和晶圆图案的缩小，我们对模型精度的要求也在增加。

今天在大批量制造中，我们将特征成像低至单纳米级别，具有（对于简单的一维特征）亚纳米精度要求。

展望未来，计算光刻将继续在提高我们机器的成像性能方面发挥不可或缺的作用，使我们能够继续推动摩尔定律向前发展。

整体印刷

我们正在将计算能力从光刻技术扩展到光学计量和电子束检测，以及机器学习应用。

我们将继续开发建模和校正软件套件，以利用我们在这两个领域的专业知识，将我们的计量和检测系统与我们的光刻系统联系起来。

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